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中国芯，中国造，中国装备！8月23日，记者从〓江苏通用半导体有限公司获悉，由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备已经正式交付碳←化硅衬底生产领域头部企业广州南砂晶圆半导体技术有限公司，并投入生产。

图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备

该☆设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全◥自动分片，包含晶锭上※料、晶锭研磨、激光切割、晶片分离↘和晶片收集，其产业化投产，一举填补国内碳化硅晶锭激光剥离设备领域研发、制造的市场空白▃，突破了国外技术封锁，极大提升了我国碳化硅芯片产业的自主化、产业化ζ　水平，为我国集成电路产业链供应链安全与稳定『提供了坚实保障。

该设备年可剥离碳化硅衬底20000片，实现良率95%以上，与传统︽的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，而设备售价仅仅是国外同类产品的1/3。

近年来，碳化硅功率器件在大功率半导体市场中所占的份额不断提高，并被广泛应用╲于新能源汽车、城市轨道交通、风力发电、高速移动、物联网等→一系列领域。

但是，由于卐材料的高硬度、高脆性的特点，在↙使用传统的砂浆线、金刚石线等冷切工艺切割、剥离∑　碳化硅晶锭时，存在效率过低、损耗过◤高的缺点，导致衬底产能提升过慢，远远不能满足市场的实际需求。由于产能严重不足∞，碳化硅衬底的生产成本一直居高不下，在器件成本构成【中，碳化硅器件中衬底◇要占成本的47%，远远高于硅基器件的7%。

江苏通用半〖导体有限公司董事长陶为银介绍，采用基于激光工具和加工技术切割、剥离∩碳化硅晶锭，可实现高效、精确和高质量的制☆造，极大地降低碳化硅衬底的生产成本，减少浪费和环境影响。

碳化硅器件属于宽禁带半导体，不但在民用领域应用广泛，在国※防领域也普遍应用。因此对相关技术，西方发达国家都实行出口管制。目前，只有一家日本企业生产制造¤碳化硅晶锭激光剥离设备，售价高达一亿元，且对中国实施禁售。

江苏通用半导体有限公司成立于2019年，致力于高端半导体产业装备与材料的研发和制造，于2020年推出国内首台半导体激光隐形切割机；2022年成功推出国内首台18纳米及以下▲SDBG激光隐切◥设备（针对3DMemory)；2024年研制成功SDTT激光隐切设备（针对3DHBM）。

责编：宋景辉

校对：尹妮子

审稿：宋家臣

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